收藏本站
IXFH 22N50P IXFV 22N50P
IXFV 22N50PS
22
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
55
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
20
18
16
14
12
10
8
6
4
V GS = 10V
8V
7V
6V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
V GS = 10V
8V
7V
6V
2
0
5V
5
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
7V
6V
5V
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 22A
I D = 11A
0
2
4
6 8 10
V D S - Volts
12
14
16
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
3.1
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
24
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.8
V GS = 10V
T J = 125 o C
20
2.5
2.2
1.9
1.6
16
12
8
1.3
1
0.7
T J = 25 o C
4
0
0
5
10
15
20 25 30 35
I D - Amperes
40
45
50
55
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFV26N50PS MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD
IXFV30N50PS MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD
IXFV36N50PS MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220-SMD
IXFV74N20PS MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220-S
IXFV96N15PS MOSFET N-CH 150V 96A PLUS220-S
IXFX120N25P MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
IXFX120N30T MOSFET N-CH 120A 300V PLUS247
IXFX140N25T MOSFET N-CH 140A 250V PLUS247
相关代理商/技术参数
IXFV22N60P 功能描述:MOSFET 600V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV22N60PS 功能描述:MOSFET 600V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV26N50P 功能描述:MOSFET 500V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV26N50PS 功能描述:MOSFET 500V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV26N60P 功能描述:MOSFET 600V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV26N60PS 功能描述:MOSFET 600V 26A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV30N50P 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFV30N50PS 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube